high-threshold MOS structure

high-threshold MOS structure
aukšto įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high-threshold MOS; high-threshold MOS structure vok. MOS-Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП-структура с высоким пороговым напряжением, f pranc. structure MOS à haute tension de seuil, f

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

Игры ⚽ Нужно решить контрольную?

Look at other dictionaries:

  • high-threshold MOS — aukšto įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • structure MOS à haute tension de seuil — aukšto įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • MOS-Struktur mit hohem Schwellwert — aukšto įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • aukšto įtampos slenksčio MOP darinys — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc. structure MOS à haute tension de seuil …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • МОП-структура с высоким пороговым напряжением — aukšto įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up …   Wikipedia

  • TEMPLE — The article is arranged according to the following outline: first temple history structure the ground plan of the temple the detailed plan of the temple general description the porch THE MAIN ROOM (HEKHAL) OR HOLY PLACE …   Encyclopedia of Judaism

  • education — /ej oo kay sheuhn/, n. 1. the act or process of imparting or acquiring general knowledge, developing the powers of reasoning and judgment, and generally of preparing oneself or others intellectually for mature life. 2. the act or process of… …   Universalium

  • GeSbTe — GeSbTe, or Germanium Antimony Tellurium, also known as GST, is a phase change material from the group of chalcogenide glasses, used in rewritable optical discs and phase change memory applications. Its recrystallization time is down to 20… …   Wikipedia

  • CMOS — For other uses, see CMOS (disambiguation). CMOS inverter (NOT logic gate) Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) (   …   Wikipedia

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”